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【MVBD-109】射精後こそメイン!ごっくん凄テク8時間 对准苹果下代 XR 建设订单,音信称三星正积极开拓 LLW DRAM 内存

发布日期:2024-07-21 21:56    点击次数:184

【MVBD-109】射精後こそメイン!ごっくん凄テク8時間 对准苹果下代 XR 建设订单,音信称三星正积极开拓 LLW DRAM 内存

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IT之家 7 月 18 日音信【MVBD-109】射精後こそメイン!ごっくん凄テク8時間,韩媒 ZDNet Korea 报谈称,三星电子正积极开拓 LLW DRAM 内存,为 Vision Pro 后的下一代头显订单作念好准备。

LLW DRAM 全称 Low Latency Wide I/O DRAM,是一种高性能特等内存,领罕有量浩荡的 I/O 引脚,具备高带宽低延长低功耗的上风。

三星电子声称,其 LLW DRAM 内存产物可终了 128GB/s 的带宽,同期能耗仅有 1.2pJ/bit。

▲ 三星半导体展示的LLW DRAM 内存结构主意【MVBD-109】射精後こそメイン!ごっくん凄テク8時間

据IT之家此前报谈,与苹果 Vision Pro 头显上 R1 芯片配套的 LLW DRAM 内存由 SK 海力士独家供应,可提供 256GB/s 带宽。

该内存单颗容量为 1GB,I/O 引脚数目是传统内存的八倍。要是以现在 LPDDR5 内存的 64bit 四肢基础,那 SK 海力士提供的 LLW DRAM 内存位宽可达 512bit。

▲SK 海力士 LLW DRAM 内存结构。图源 Yole

韩媒报谈提到,苹果曾于 2022 年同三星电子就 LLW DRAM 供应进行过洽谈,但最终 SK 海力士得回了这份订单。

三星电子正积极开拓 LLW DRAM 内存本领,现在正处于小界限坐褥阶段,主张翌日从 SK 海力士的手中夺取这一细分领域的商场份额。



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